- Multiple Choice
	- In der Störstellenreserve verliert die Dotierung vollständig ihre Wirkung
	- Der Feldstrom wird normalerweise bei Minoritätsladungsträgern vernachlässigt
	- Der Diffusionsstrom

- Wie heißt die Verteilungsfunktion, die die Verteilung der Ladungsträger für bestimmte Energiezustände beschreibt? Geben Sie die Formel an.
- Wie wird heißt die vereinfachte Funktion? Geben Sie die Formel an.
- Wann darf die Vereinfachung verwendet werden, falls die Ungenauigkeit < 1% sein soll?

- Wie muss ein p-Halbleiter dotiert sein, damit die Anzahl der Majoritätsladungsträger das 100-fache der Minoritätsladungsträger beträgt, wenn n_i = 13*10^11/cm^3 ist?

- Zeichnen Sie in das folgenden Diagramm die Geschwindigkeit von Teilchen in einem undotierten Halbleiter in Abhängigkeit vom E-Feld ein. Kennzeichnen Sie den ohmschen Bereich und geben Sie für diesen eine Formel an.

- I(U)-Kennlinie einer realen Diode zeichnen, die einzelnen Bereiche beschriften

- Nennen Sie die wesentlichen Gemeinsamkeiten und Unterschiede zwischen MOSFET und Bipolartransistor (min. 5 Stichpunkte)

- ein pn-Übergang, der mit U=0,4 V in Durchlassrichtung beschaltet ist, wird beleuchtet (gegeben: Diagramm p,n beim pn-Übergang halblogarithmisch über x aufgetragen, Ladungsträgerkonzentration für Durchlassrichtung bereits eingezeichnet)
	- Zeichnen Sie die technische Stromrichtung ein
	- es wird eine Ladungsträgerkonzentration von 10^14 cm^-3 generiert. Zeichnen Sie die neuen Ladungsträgerkonzentrationen in das Diagramm
	- was für ein Bauteil ist dies in der Realisierung


- Ausgangskennlinie p-MOSFET ist gegeben
	- Welcher Transistortyp gehört zu dieser Kennlinie
	- Zeichnen Sie die zugehörige Übertragungskennlinie
	- markieren Sie in der Übertragungskennlinie zwei von 0 unterschiedliche Bereiche
	- benennen Sie, welche Proportionalitäten dort vorherrschen

- Zeichnen Sie das Planarmodell eines pnp-Bipolartransistors. Benennen Sie relevante Bauteilparameter.

- Zeichnen Sie die Diodenkennlinie nach Shockley und bestimmen Sie graphisch den Sperrsättigungsstrom

- Bändermodell des pn-Übergang nach Shockley zeichnen, p-Gebiet, n-Gebiet, RLZ beschriften, e*U_D einzeichnen

- Praktikumsfragen
	- Beschriften Sie die folgende CV-Kurve eines n-MOS-Varaktors mit folgenden Begriffen: Anreicherung, Verarmung, Inversion, starke Inversion
	- Wie wird der serielle Widerstand bei einer Solarzelle graphisch bestimmt? Sie können auch eine Skizze zeichnen.
	- Wie verhält sich die Ladungsträgerkonzentration bei einem zeitlichen Abklingvorgang (Proportionalität reicht, Formel)
	- Wie sieht das reale Ersatzschaltbild für eine MOS-Varaktor-Kapazität aus?