1) Multiple Choice Fragen
2) HL-Physik : 
- Zeichne n-HL bei Raumtemperatur
- Zeichne logarithmische Ladungsträgerkonzentration dieses n-HL über der reziproken Temperatur
  Nenne dabei die Bereiche und trage die Tempetarturen 80 K, 300 K, 1000 K in das Diagramm ein.
- Einfache Aufgabe zum Massenwirkungsgesetz
- Berechne ni für einen p-dotierten HL mit gegebenem N_L, N_V (falls man das nicht geschafft hat war ni gegeben)
- Bestimme grafisch das Ferminiveau
=> Achtung ! Beschrifte auch den Grafen !!! und gebe W_F als ...eV + W_V an 

- Wann wird die Heisenberg'sche Unschärfe erfüllt ?
- Es findet eine strahlende Rekombination statt, berechne die Wellenlänge bei gegebenem Wgap 
  (C Lichtgeschwindigkeit, sowie h gegeben)
- Nenne die Strom und die Bilanzgleichungen 

3) pn-Übergang
- Nenne die Shockley-Bedingungen
- Leite aus der Formel U_D = U_T * ln(N_A*N_d/ni^2) die Boltzmannfaktoren her
=> Achtung ! Hier muss jeder Schritt kommentiert werden !!! D.h. bei schwachter Injektion kann man annehmen ... 
   Deshalb am besten zu Norbert in die Sprechstunde gehen, da auf den VL Folien nur wenige Schritte zur Herleitung stehen !

- Welche Shockleybedingung wurde hier verwendet ?
- Zeichne das Bändermodell eines pn-Überganges unter Spannung
- Wo kann man in dem Modell U_D sehen ?
- Wie lautet die Gleichung für die Ladung der p-Seite ?
- Leite mithilfe gegebener Formel für w_p die Diffusionskapazität her
- Zeichne die Diodenkennlinie in halblogarithmischem Maßstab
- Trage den markanten Punkt auf der y-Achse ein und erkläre wie dieser grafisch zu ermitteln ist (also grafisch I_0 bestimmen => Siehe PRGLBE)

4) Bauelemente
- Zeichne das Bändermodell eines n-MOS-Varaktors bei starker Inversion
- Zeichne hierbei die Bandverbiegung ein
- Wie sieht das Bändermodell für Flachband, Verarmung, Midgap und Inversion aus ?
- Zeichne einen p-Mosfet mit dem wichtigsten Technologieparameter (=> also Kanallänge)
- Wie lautet die Kennliniengleichung für den parabolischen Fall und im Sättigungsfall ?
- Zeichne die Übertragungskennlinie eines selbstsperrenden n-Mosfet und benenne Sperr-, Sättigungs- und Parabolischen Fall
  Trage hier den wichtigen Punkt auf der x-Achse ein 
- Wofür werden in der Digitalelektronik cMosfets verwedendet ?
- Wie ist die Steilheit definiert
- Erkläre wieso die Steilheit im Sperrbereich unabhängig von U_DS im Sperrbereich ist ?!
- Zeichne einen pnp Bipolartransistor
- Trage die wichtigste geometrische Größe in die Zeichnung ein
- Welche Ströme haben einen Einfluss auf den Emitterwirkungsgrad und wie groß sollte ein "guter" Emitterwirkungsgrad sein